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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN004-60P,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN004-60P,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN004-60P,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN004-60P,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN004-60P,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN004-60P,127 是恩智浦半导体(NXP USA Inc.)生产的一款单N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、高效率和高可靠性的特点。该器件广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景中。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等电源管理系统,提升能效并减小系统体积。 2. 电机控制:在直流电机驱动或步进电机控制系统中作为功率开关使用,具备快速开关响应能力。 3. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板、便携式充电设备等,用于电池充放电管理和电源路径控制。 4. 工业自动化:用于PLC模块、工业电源及自动化控制系统中的高频率开关操作。 5. 汽车电子:支持车载电源系统、LED照明驱动、电动助力转向系统(EPS)等应用,符合汽车级可靠性要求。 该MOSFET采用小型封装,适于高密度PCB布局,适合高性能与空间受限的设计需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | PSMN004-60P,127 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8300pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 168nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.6 毫欧 @ 25A,10V |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | 934057040127 |
功率-最大值 | 230W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |