【晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置_NSVMUN5332DW1T1G】封装/厂家_NSVMUN5332DW1T1G中文资料_价格

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型号： NSVMUN5332DW1T1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NSVMUN5332DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVMUN5332DW1T1G价格参考。ON SemiconductorNSVMUN5332DW1T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载NSVMUN5332DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSVMUN5332DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NSVMUN5332DW1T1G 是由 ON Semiconductor（安森美）生产的一款双极型晶体管（BJT）阵列，属于预偏置类型。该型号的主要应用场景包括：

1. 信号放大：  
   该器件适合用于音频、视频或其他低频信号的放大电路中。由于其预偏置特性，可以简化设计并提高信号放大的稳定性。

2. 开关应用：  
   在需要高速开关的场景中，例如继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制，NSVMUN5332DW1T1G 可以提供高效的开关性能。

3. 模拟电路设计：  
   该晶体管阵列适用于构建复杂的模拟电路，例如多级放大器、混频器或振荡器。预偏置功能有助于减少外部元件的数量，从而优化电路板空间。

4. 电源管理：  
   在某些低功耗电源管理应用中，这款 BJT 阵列可以用作电流调节器或电压调整器，确保系统在稳定的工作范围内运行。

5. 传感器接口：  
   用于将微弱的传感器信号放大到可被后续处理单元识别的水平，例如温度传感器、压力传感器或光敏传感器的信号调理电路。

6. 通信设备：  
   在低频通信领域，NSVMUN5332DW1T1G 可用于调制解调电路、数据传输线路的信号增强等。

7. 测试与测量设备：  
   在精密测量仪器中，该器件可用于构建高精度的信号放大和处理模块。

总结来说，NSVMUN5332DW1T1G 的主要优势在于其预偏置设计，能够简化电路设计并提高可靠性，适用于多种电子设备中的信号处理、功率控制和开关功能。具体应用时需根据实际需求选择合适的外围电路配置。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANS NPN 50V SC88开关晶体管 - 偏压电阻器
产品分类	晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor NSVMUN5332DW1T1G-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	NSVMUN5332DW1T1G
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	250mV @ 1mA，10mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	15 @ 5mA，10V
产品种类	开关晶体管 - 偏压电阻器
供应商器件封装	*
功率-最大值	250mW
包装	*
商标	ON Semiconductor
安装类型	*
封装	Reel
封装/外壳	*
工厂包装数量	3000
晶体管类型	1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
标准包装	3,000
电压-集射极击穿（最大值）	50V
电流-集电极(Ic)（最大值）	100mA
电流-集电极截止（最大值）	500nA
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)	4.7k
电阻器-基底(R1)(Ω)	4.7k
系列	MUN5332DW1
频率-跃迁	-