Datasheet下载- 型号： SI7846DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7846DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7846DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7846DP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7846DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7846DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的SI7846DP-T1-GE3是一款N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：用于开关电源中的功率转换，提供高效能的电压调节。 - 负载开关：作为负载开关控制电路的通断，实现低导通电阻（Rds(on)）和低功耗。 - 电池保护：在便携式设备中，用于电池充放电保护，防止过流或短路。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：适用于消费类电子产品中的小型直流电机驱动，如风扇、泵等。 - H桥电路：在H桥电路中用作开关元件，实现电机的正反转和速度控制。 3. 信号切换 - 高速信号切换：由于其快速开关特性，可用于高频信号的切换和隔离。 - 音频信号切换：在音频设备中，用于信号路径的选择和切换。 4. 保护电路 - 过流保护：通过检测电流并快速切断电路，保护下游设备免受过流损坏。 - 短路保护：在发生短路时迅速关断，避免系统故障。 5. 消费电子 - 智能手机和平板电脑：用于内部电源管理和外围设备的供电控制。 - 笔记本电脑：在电源适配器和内部电路中作为开关元件。 - 智能家居设备：如智能灯泡、插座等，用于功率控制和信号切换。 6. 工业应用 - 传感器接口：在工业自动化中，用于传感器信号的放大和切换。 - 继电器替代：在需要高可靠性和长寿命的场合，用MOSFET替代传统机械继电器。 特性优势 - 低导通电阻（Rds(on)）：降低功耗，提高效率。 - 高开关速度：适合高频应用，减少开关损耗。 - 小封装尺寸：节省PCB空间，适合紧凑型设计。 - 良好的热性能：支持长时间稳定运行。 总之，SI7846DP-T1-GE3凭借其优异的性能和可靠性，适用于多种电子设备中的功率控制和信号处理场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI7846DP-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50 毫欧 @ 5A，10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 功率-最大值 | 1.9W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Ta） |
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