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  • 型号: RN1101CT(TPL3)
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RN1101CT(TPL3)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1101CT(TPL3)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1101CT(TPL3)封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3。您可以下载RN1101CT(TPL3)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RN1101CT(TPL3) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Toshiba半导体与存储出品的RN1101CT(TPL3)是一款预偏置双极结型晶体管(BJT),属于晶体管-双极(BJT)-单,预偏置类型。该器件集成了一个晶体管和两个内置电阻(通常为基极和发射极电阻),简化了外围电路设计,提高了系统可靠性。

RN1101CT(TPL3)广泛应用于各类中小功率电子设备中,典型使用场景包括:  
1. 开关电路:适用于LED驱动、继电器控制、电源开关等数字开关应用,其预偏置电阻可直接通过逻辑电平驱动,无需额外偏置电路。  
2. 信号放大:在低频小信号放大电路中作为前置放大元件,用于传感器信号调理或音频信号处理。  
3. 接口电路:常用于微控制器与负载之间的电平转换与驱动,如连接MCU输出至电机、指示灯或其他执行器。  
4. 便携式设备:因封装小型化(如SOT-23)、功耗低,适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的空间受限场合。  
5. 消费类电子产品:如家用电器控制板、充电器、电源管理模块等,实现高效可靠的通断控制。

该器件具有高可靠性、温度稳定性好、响应速度快等特点,配合东芝一贯的品质控制,适用于工业、消费及部分汽车电子环境。其集成电阻设计不仅减少元件数量、节省PCB空间,还提升了生产良率与一致性,是现代紧凑型电子设计的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRAN NPN CST3 20V 50A

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1101CT

产品图片

产品型号

RN1101CT(TPL3)

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

150mV @ 250µA, 5mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

30 @ 10mA,5V

供应商器件封装

CST3

其它名称

RN1101CT(TPL3)DKR

功率-最大值

50mW

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-101,SOT-883

晶体管类型

NPN - 预偏压

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

20V

电流-集电极(Ic)(最大值)

50mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

4.7k

电阻器-基底(R1)(Ω)

4.7k

频率-跃迁

-

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