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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RN1101CT(TPL3)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1101CT(TPL3)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1101CT(TPL3)封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3。您可以下载RN1101CT(TPL3)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RN1101CT(TPL3) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba半导体与存储出品的RN1101CT(TPL3)是一款预偏置双极结型晶体管(BJT),属于晶体管-双极(BJT)-单,预偏置类型。该器件集成了一个晶体管和两个内置电阻(通常为基极和发射极电阻),简化了外围电路设计,提高了系统可靠性。 RN1101CT(TPL3)广泛应用于各类中小功率电子设备中,典型使用场景包括: 1. 开关电路:适用于LED驱动、继电器控制、电源开关等数字开关应用,其预偏置电阻可直接通过逻辑电平驱动,无需额外偏置电路。 2. 信号放大:在低频小信号放大电路中作为前置放大元件,用于传感器信号调理或音频信号处理。 3. 接口电路:常用于微控制器与负载之间的电平转换与驱动,如连接MCU输出至电机、指示灯或其他执行器。 4. 便携式设备:因封装小型化(如SOT-23)、功耗低,适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的空间受限场合。 5. 消费类电子产品:如家用电器控制板、充电器、电源管理模块等,实现高效可靠的通断控制。 该器件具有高可靠性、温度稳定性好、响应速度快等特点,配合东芝一贯的品质控制,适用于工业、消费及部分汽车电子环境。其集成电阻设计不仅减少元件数量、节省PCB空间,还提升了生产良率与一致性,是现代紧凑型电子设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRAN NPN CST3 20V 50A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1101CT |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | RN1101CT(TPL3) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 250µA, 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 10mA,5V |
| 供应商器件封装 | CST3 |
| 其它名称 | RN1101CT(TPL3)DKR |
| 功率-最大值 | 50mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-101,SOT-883 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 20V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 50mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |