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  • 型号: RN1101CT(TPL3)
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RN1101CT(TPL3)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1101CT(TPL3)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1101CT(TPL3)封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3。您可以下载RN1101CT(TPL3)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RN1101CT(TPL3) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRAN NPN CST3 20V 50A

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1101CT

产品图片

产品型号

RN1101CT(TPL3)

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

150mV @ 250µA, 5mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

30 @ 10mA,5V

供应商器件封装

CST3

其它名称

RN1101CT(TPL3)DKR

功率-最大值

50mW

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-101,SOT-883

晶体管类型

NPN - 预偏压

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

20V

电流-集电极(Ic)(最大值)

50mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

4.7k

电阻器-基底(R1)(Ω)

4.7k

频率-跃迁

-

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