Datasheet下载- 型号： SI3424CDV-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3424CDV-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3424CDV-T1-GE3价格参考￥0.81-￥1.06。VishaySI3424CDV-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3424CDV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3424CDV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI3424CDV-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效功率转换和开关控制的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：用于降压或升压电路中，作为主开关器件，实现高效的电压转换。 - 负载开关：在便携式设备中用作负载开关，控制电路的通断，减少功耗。 - 电池管理系统 (BMS)：用于保护电池免受过流、短路等异常情况的影响。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：适用于玩具、家用电器中的电机驱动电路，提供高效的开关性能。 - H桥电路：用于双向电机控制，支持正转和反转功能。 3. 消费电子 - 智能手机和平板电脑：用于充电电路和内部电源分配，确保低功耗和高效率。 - 笔记本电脑：在电源适配器和内部电源管理模块中作为开关元件。 - 音频设备：用于D类放大器的开关级，提供快速的开关速度和低失真。 4. 通信设备 - 基站和路由器：在电源模块中使用，支持高效的功率分配和热管理。 - 信号调节电路：用于低噪声、高速开关应用。 5. 工业自动化 - 传感器接口：用于控制传感器的供电或信号传输。 - 继电器替代：在需要频繁开关的场景中，用MOSFET替代机械继电器以提高可靠性和寿命。 6. 汽车电子 - LED驱动：用于汽车照明系统中的LED驱动电路，提供稳定的电流输出。 - 车载信息娱乐系统：在音频放大器和其他子系统中作为开关元件。 - 电动助力转向 (EPS)：在电机驱动电路中使用，支持精确的扭矩控制。 特性优势 - 低导通电阻 (Rds(on))：降低功率损耗，提高效率。 - 高开关速度：适合高频应用，减少开关损耗。 - 优异的热性能：能够在紧凑设计中保持稳定运行。 - ESD保护：增强可靠性，适应复杂的工作环境。 总之，SI3424CDV-T1-GE3凭借其出色的电气特性和可靠性，广泛应用于各种需要高效功率转换和精密控制的领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 405 pF |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOPMOSFET 30V 8A NCH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3424CDV-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI3424CDV-T1-GE3SI3424CDV-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.6 W |
| Pd-功率耗散 | 3.6 W |
| Qg-GateCharge | 4.2 nC |
| Qg-栅极电荷 | 4.2 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 26 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 26 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V to 2.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 405pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 26 毫欧 @ 7.2A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 17 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Tc） |
| 系列 | SI3424CDV |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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