Datasheet下载- 型号： IRFB3307ZGPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB3307ZGPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB3307ZGPBF价格参考。International RectifierIRFB3307ZGPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFB3307ZGPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFB3307ZGPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRFB3307ZSPB的MOSFET属于N沟道功率MOSFET，常用于需要高效能开关和电源管理的应用场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理系统：适用于各种电源转换设备，如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等，具备低导通电阻和高效率特性，有助于提高能源利用率。 2. 电机驱动：广泛应用于直流电机控制、步进电机驱动及电动工具中，因其具备高电流承载能力和快速开关特性，适合频繁启停和调速需求。 3. 汽车电子系统：用于车载电源管理、车身控制系统（如车窗、座椅调节）、LED照明驱动等场景，符合汽车行业对可靠性和稳定性的要求。 4. 工业自动化设备：在PLC（可编程逻辑控制器）、继电器替代电路、传感器驱动电路中发挥重要作用，支持工业环境下的高效电能控制。 5. 消费类电子产品：如智能家电、充电器、UPS不间断电源等，提供紧凑、高效的功率控制解决方案。 该器件采用TO-263封装，具有良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，便于在各类高密度电路板上使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220ABMOSFET MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 84 A |
| Id-连续漏极电流 | 84 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB3307ZGPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFB3307ZGPBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 230 W |
| Pd-功率耗散 | 230 W |
| Qg-GateCharge | 79 nC |
| Qg-栅极电荷 | 79 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4750pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.8 毫欧 @ 75A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 230W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
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