ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > SMBT3906DW1T1G
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SMBT3906DW1T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMBT3906DW1T1G价格参考。ON SemiconductorSMBT3906DW1T1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 200mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-363, SC70。您可以下载SMBT3906DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SMBT3906DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SMBT3906DW1T1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款双极结型晶体管(BJT)阵列器件,属于PNP型晶体管,采用SOT-363(SC-88)小型封装。该型号由两个独立的PNP晶体管集成在一个芯片上,具有良好的匹配性和紧凑的空间布局,适用于对空间要求较高的电路设计。 其典型应用场景包括: 1. 信号放大与开关控制:常用于低功率模拟信号放大或数字开关电路中,如音频前置放大、逻辑电平转换等。 2. 电源管理:在便携式电子设备(如手机、平板、可穿戴设备)中用于负载开关、电源通断控制。 3. 驱动电路:可用于驱动LED、继电器、小型电机等负载,尤其适合需要双通道控制的场合。 4. 接口电路:广泛应用于微控制器与外围设备之间的缓冲和驱动,提升系统稳定性和抗干扰能力。 5. 消费类电子产品:如智能家居设备、传感器模块、电源适配器等,因其小型化封装和高可靠性而备受青睐。 SMBT3906DW1T1G具有低饱和电压、高增益和优良的热稳定性,工作温度范围宽(-55°C 到 +150°C),适合工业级和汽车级应用。同时,该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子产品制造。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE STD REC SC88两极晶体管 - BJT SS GP XSTR PNP 40V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor SMBT3906DW1T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SMBT3906DW1T1G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 5mA,50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-363,SC70 |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 250 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP(双) |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 300 |
| 系列 | SMBT3906DW1T1G |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 40 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.25 V |
| 集电极连续电流 | - 200 mA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |