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  • 型号: SMBT3906DW1T1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SMBT3906DW1T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMBT3906DW1T1G价格参考。ON SemiconductorSMBT3906DW1T1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 200mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-363, SC70。您可以下载SMBT3906DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SMBT3906DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SMBT3906DW1T1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款双极结型晶体管(BJT)阵列器件,属于PNP型晶体管,采用SOT-363(SC-88)小型封装。该型号由两个独立的PNP晶体管集成在一个芯片上,具有良好的匹配性和紧凑的空间布局,适用于对空间要求较高的电路设计。

其典型应用场景包括:  
1. 信号放大与开关控制:常用于低功率模拟信号放大或数字开关电路中,如音频前置放大、逻辑电平转换等。  
2. 电源管理:在便携式电子设备(如手机、平板、可穿戴设备)中用于负载开关、电源通断控制。  
3. 驱动电路:可用于驱动LED、继电器、小型电机等负载,尤其适合需要双通道控制的场合。  
4. 接口电路:广泛应用于微控制器与外围设备之间的缓冲和驱动,提升系统稳定性和抗干扰能力。  
5. 消费类电子产品:如智能家居设备、传感器模块、电源适配器等,因其小型化封装和高可靠性而备受青睐。

SMBT3906DW1T1G具有低饱和电压、高增益和优良的热稳定性,工作温度范围宽(-55°C 到 +150°C),适合工业级和汽车级应用。同时,该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子产品制造。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE STD REC SC88两极晶体管 - BJT SS GP XSTR PNP 40V

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor SMBT3906DW1T1G-

数据手册

产品型号

SMBT3906DW1T1G

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

400mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 10mA,1V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-363,SC70

功率-最大值

150mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

- 5 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

250 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

2 PNP(双)

最大功率耗散

150 mW

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

40V

电流-集电极(Ic)(最大值)

200mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

300

系列

SMBT3906DW1T1G

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

- 40 V

集电极—基极电压VCBO

- 40 V

集电极—射极饱和电压

- 0.25 V

集电极连续电流

- 200 mA

频率-跃迁

250MHz

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