Datasheet下载- 型号： SI2321DS-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2321DS-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2321DS-T1-E3价格参考。VishaySI2321DS-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI2321DS-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2321DS-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI2321DS-T1-E3 是一款P沟道增强型MOSFET，属于单MOSFET晶体管，常用于低电压、低功耗的开关应用。其主要应用场景包括便携式电子设备和电源管理电路。 该器件广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品中，主要用于电源开关、负载开关、电池保护电路以及DC-DC转换器中的同步整流或控制开关。由于其导通电阻低（典型值约85mΩ）、工作电压适中（VGS最大±12V，VDS为-20V），且封装小巧（SOT-23），非常适合空间受限的高密度PCB设计。 SI2321DS-T1-E3还常见于各类电源管理系统，如热插拔控制器、LED驱动电路和电机控制模块，能够高效地实现电源通断控制，减少静态功耗，提高系统能效。此外，因其良好的开关特性和稳定性，也适用于工业控制、通信设备和传感器模块中的信号切换与功率调节。 总体而言，SI2321DS-T1-E3凭借其小型化封装、优异的电气性能和高可靠性，成为众多低功耗、高性能电子设备中理想的P沟道MOSFET解决方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI2321DS-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 715pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 57 毫欧 @ 3.3A，4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 710mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.9A （Ta） |
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