ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IXTK32P60P
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IXTK32P60P产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTK32P60P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTK32P60P价格参考。IXYSIXTK32P60P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 600V 32A(Tc) 890W(Tc) TO-264(IXTK)。您可以下载IXTK32P60P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTK32P60P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTK32P60P是一款P沟道MOSFET晶体管,常用于电源管理和功率控制领域。该器件具有较高的耐压能力和良好的导通性能,适用于需要高效、稳定功率输出的电路设计。 其主要应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等,用于实现电压变换与稳压功能; 2. 电机驱动电路:在工业自动化和电动工具中作为开关元件,控制电机启停与调速; 3. 负载开关:用于智能电表、电池管理系统(BMS)中,实现对负载的通断控制; 4. 逆变器系统:应用于UPS不间断电源或太阳能逆变器中,协助直流电转交流电的过程; 5. 汽车电子:如车载充电系统、LED照明控制模块等对可靠性和效率要求较高的场合。 该MOSFET具备较强的过载与温度耐受能力,适合在中高功率应用中使用。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET P-CH 600V 32A TO-264 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | IXYS |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IXTK32P60P |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | PolarP™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11100pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 196nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 350 毫欧 @ 16A,10V |
供应商器件封装 | TO-264 (IXTK) |
功率-最大值 | 890W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
标准包装 | 25 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 32A (Tc) |