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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 SI4634DY-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效功率控制和低导通电阻的应用场景。该器件具有较高的耐用性和集成度,适用于多种电子系统中的电源管理和负载开关应用。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关中,实现高效的能量转换与分配。 2. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子产品中,作为高效率的功率开关使用。 3. 电机驱动电路:在小型电机或步进电机控制系统中,用于控制电流流向及启停操作。 4. 工业控制系统:如 PLC(可编程逻辑控制器)、工业自动化设备中,作为高可靠性开关元件。 5. 汽车电子系统:例如车载充电器、车身控制模块、LED 照明驱动等,满足汽车环境下的高温与稳定性要求。 6. 消费类电子产品:如电源适配器、智能家电、电源插座等产品中,用于实现节能与远程控制功能。 该 MOSFET 具备优良的热稳定性和低导通电阻特性,适合在中低功率范围内进行高频开关操作,是许多现代电子设计中不可或缺的关键组件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | SI4634DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.6V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3150pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 68nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.2 毫欧 @ 15A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4634DY-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 5.7W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 24.5A (Tc) |