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产品简介:
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STMicroelectronics的STB80NF55-08-1是一款N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力,适用于多种功率电子应用。该器件常用于以下场景: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,用于高效能电能转换,提升系统效率并减少发热。 2. 电机控制:在直流电机驱动器、无刷电机控制器中,作为功率开关元件,实现对电机转速和方向的精确控制。 3. 汽车电子:用于车载电源系统、电动助力转向系统(EPS)、车载充电器等,满足汽车环境对高可靠性和稳定性的要求。 4. 工业自动化:如变频器、伺服驱动器、PLC电源模块中,作为核心开关器件,保障工业设备的高效稳定运行。 5. 消费电子:应用于高功率充电器、电源适配器、储能设备等,支持快速充电与高能效表现。 该MOSFET具备高耐用性与良好的热稳定性,适合需要高效率与紧凑设计的功率应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STB80NF55-08-1 |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | STripFET™ II |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3850pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 155nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8 毫欧 @ 40A,10V |
供应商器件封装 | I2PAK |
其它名称 | 497-3516-5 |
功率-最大值 | 300W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 80A (Tc) |