Datasheet下载- 型号： FDD26AN06A0
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD26AN06A0由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD26AN06A0价格参考。Fairchild SemiconductorFDD26AN06A0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDD26AN06A0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD26AN06A0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD26AN06A0 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于多种电源管理和功率转换场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等，实现高效能电能转换。 2. 电机控制：适用于无刷直流电机、步进电机等控制电路，提供快速开关和低导通损耗。 3. 负载开关：作为高效负载开关用于电源管理系统，控制设备的电源通断。 4. 电池供电设备：常见于笔记本电脑、平板电脑、电动工具等便携设备中，用于提高能效和延长电池寿命。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、LED照明驱动、电机控制等场景，满足汽车环境对可靠性和效率的要求。 6. 工业自动化：在工业控制系统中用于继电器替代、电源分配、传感器供电等。 该MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和良好热性能，适合高效率、高频率的开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 36A D-PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDD26AN06A0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 26 毫欧 @ 36A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7A （Ta）， 36A （Tc） |
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