Datasheet下载- 型号： SI2303CDS-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2303CDS-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2303CDS-T1-GE3价格参考￥0.52-￥0.52。VishaySI2303CDS-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI2303CDS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2303CDS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI2303CDS-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET，其主要应用场景包括以下几个方面： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)），适合用于高效能的降压或升压转换器电路中，能够减少功率损耗并提高转换效率。 - 负载开关：在便携式设备、消费电子和工业应用中，可用作高效的负载开关，控制电路的通断以节省电能。 - 电池管理：适用于锂电池保护电路，用于过流保护、短路保护以及充放电控制。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：可用于驱动小型风扇、玩具电机或其他低功率直流电机，提供精确的电流控制。 - H桥电路：在需要双向控制的小功率电机应用中，可以作为H桥的一部分来实现正反转功能。 3. 信号切换 - 音频信号切换：在音频设备中，用于切换不同的输入信号源，确保信号传输的质量。 - 数据线路切换：在通信设备中，可用来切换不同的数据通道，减少信号干扰。 4. 保护电路 - 过流保护：利用其快速响应特性，在检测到过流时迅速切断电路，保护后端设备。 - ESD保护：集成的ESD保护功能使其能够在敏感环境中使用，防止静电损坏。 5. 便携式设备 - 智能手机和平板电脑：用于内部电源管理模块，优化电池寿命和设备性能。 - USB充电器：在USB充电器或快充适配器中，作为功率开关或同步整流元件，提升充电效率。 6. 工业与汽车应用 - LED驱动：用于驱动高亮度LED灯条或显示屏，提供稳定的电流输出。 - 车载电子系统：在汽车电子中，可用于辅助驾驶系统的电源管理或传感器接口。 综上所述，SI2303CDS-T1-GE3凭借其低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等领域，特别适合对效率和可靠性要求较高的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3MOSFET 30V 2.7A 2.3W 190 mohms @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.9 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI2303CDS-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI2303CDS-T1-GE3SI2303CDS-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 190 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 37 ns |
| 下降时间 | 37 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 155pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 190 毫欧 @ 1.9A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | SI2303CDS-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 功率-最大值 | 2.3W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.7A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI2303BDS-T1-E3-S |
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