【未分类_TK14A65W,S5X】封装/厂家_TK14A65W,S5X中文资料_价格

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型号： TK14A65W,S5X
制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供TK14A65W,S5X由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK14A65W,S5X价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK14A65W,S5X封装/规格：未分类，暂无。您可以下载TK14A65W,S5X参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK14A65W,S5X 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为 TK14A65W, S5X 的 Toshiba Semiconductor and Storage（东芝半导体与存储） 产品是一款 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单个N沟道功率MOSFET。

 主要应用场景包括：

1. 电源转换设备：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等，用于高效能电能转换。
2. 电机驱动电路：在电动工具、家用电器或工业自动化中作为电机控制开关。
3. 照明系统：如LED驱动器、HID灯镇流器等高频率开关应用。
4. 电池管理系统：用于电池充放电控制及保护电路中。
5. 汽车电子：适用于车载充电器、车身控制模块等对可靠性要求较高的场景。

该器件具备高耐压（650V）、较大导通电流能力（14A），且导通电阻较低，适合高频、高效能的开关操作。其封装形式（如S5X）便于散热和安装，适用于紧凑型设计。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220MOSFET MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-连续漏极电流	13.7 A
品牌	ToshibaToshiba Semiconductor and Storage
产品手册	http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/lookup.jsp?pid=TK14A65W&lang=en
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Toshiba TK14A65W,S5X-
mouser_ship_limit	该产品可能需要其他文件才能进口到中国。
数据手册	http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK14A65W
产品型号	TK14A65W,S5XTK14A65W,S5X
Pd-功率耗散	40 W
Qg-栅极电荷	35 nC
RdsOn-漏源导通电阻	220 mOhms
Vds-漏源极击穿电压	650 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
Vgsth-栅源极阈值电压	2.5 V to 3.5 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3.5V @ 690µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1300pF @ 300V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	35nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	250 mOhm @ 6.9A, 10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220SIS
其它名称	TK14A65W,S5X-ND TK14A65WS5X
功率-最大值	40W
包装	管件
商标	Toshiba
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装/外壳	TO-220-3 整包
封装/箱体	TO-220FP-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	650V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	13.7A （Ta）
通道模式	Enhancement
配置	Single