ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > PSMN130-200D,118
Datasheet下载- 型号： PSMN130-200D,118
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
PSMN130-200D,118产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN130-200D,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN130-200D,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN130-200D,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 200V 20A（Tc） 150W（Tc） DPAK。您可以下载PSMN130-200D,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN130-200D,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN130-200D,118 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用TO-220AB封装，具有200V耐压、130A连续漏极电流（Tc=25°C）、低导通电阻（Rds(on)典型值仅3.8mΩ @ Vgs=10V），并支持4.5V逻辑电平驱动，具备快速开关特性与强抗雪崩能力。 其典型应用场景包括： - 工业电源系统：如开关电源（SMPS）、DC-DC模块、服务器/通信设备的高效同步整流与功率级开关； - 电机控制：用于中小功率BLDC电机驱动器的上/下桥臂开关，尤其适用于需高效率与散热稳定性的风机、泵类设备； - 电池管理系统（BMS）：作为电池保护电路中的主充放电路径开关或均衡开关，利用其低Rds(on)减小功耗与温升； - LED照明驱动：在高功率LED恒流驱动电路中用作PWM调光开关或功率调节器件； - 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101可靠性标准（注：该型号为工业级，非车规版；若用于车载需确认具体批次认证），常见于车身控制模块（BCM）、座椅/车窗驱动等非安全关键负载开关。 该器件强调高效率、低热损耗与稳健的开关性能，适用于对功率密度和能效要求较高的中大电流直流开关场合。使用时建议配合合理PCB布局、散热设计及栅极驱动优化，以充分发挥其性能优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 20A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN130-200D,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2470pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 130 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 其它名称 | 568-8114-1 |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
