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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDG311N由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDG311N价格参考。Fairchild SemiconductorFDG311N封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDG311N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDG311N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDG311N 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于低电压、中等功率的开关应用。其应用场景主要包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、负载开关和电源管理系统,尤其在笔记本电脑、平板电脑和移动设备中用于高效能电源切换。 2. 电机控制:用于小型电机驱动电路中,作为开关元件控制电机的启停和方向。 3. 电池供电设备:由于其低导通电阻和小封装,适合用于电池供电设备中的功率开关,以提高能效并延长电池寿命。 4. LED照明:在LED驱动电路中作为调光或开关控制元件。 5. 工业自动化:用于PLC(可编程逻辑控制器)或其他工业控制系统中的信号切换和功率控制。 该器件采用SOT-223封装,具有良好的热稳定性和较高的可靠性,适合表面贴装,广泛应用于对空间和功耗有要求的电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6MOSFET SC70-6 N-CH 20V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.9 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDG311NPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDG311N |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.75 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 115 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 270pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 115 毫欧 @ 1.9A,4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 |
| 其它名称 | FDG311NDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 10 ns |
| 功率-最大值 | 480mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 28 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 6 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.9A (Ta) |
| 系列 | FDG311N |
| 配置 | Single Quad Drain |
| 零件号别名 | FDG311N_NL |