ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > NSV1C201MZ4T1G
Datasheet下载- 型号： NSV1C201MZ4T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSV1C201MZ4T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSV1C201MZ4T1G价格参考。ON SemiconductorNSV1C201MZ4T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 100V 2A 100MHz 800mW 表面贴装 SOT-223（TO-261）。您可以下载NSV1C201MZ4T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSV1C201MZ4T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSV1C201MZ4T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款表面贴装、单NPN型双极结型晶体管（BJT），专为高可靠性与高温环境应用设计。其主要应用场景包括汽车电子系统，如车身控制模块、电机驱动、继电器或灯控开关电路等，在严苛的车载环境中表现出良好的稳定性。该器件符合AEC-Q101车规认证，适合用于需要长期可靠运行的场合。 此外，NSV1C201MZ4T1G也广泛应用于工业控制设备中的信号放大与开关功能，例如传感器接口电路、电源管理开关、逻辑电平转换和小型继电器驱动等。由于其采用SOT-23封装，体积小巧，适用于空间受限的高密度PCB布局。 该晶体管具有低饱和电压和较高的直流电流增益，使其在低功耗与高效能切换应用中表现优异，也适合便携式消费类电子产品中的小信号处理。总体而言，NSV1C201MZ4T1G是一款适用于汽车、工业及消费类电子中通用开关和放大功能的高性能晶体管。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 100V 2A SOT223-4 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSV1C201MZ4T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 180mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 500mA，2V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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