ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI4430BDY-T1-E3
Datasheet下载- 型号： SI4430BDY-T1-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
SI4430BDY-T1-E3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4430BDY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4430BDY-T1-E3价格参考。VishaySI4430BDY-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 30V 14A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO。您可以下载SI4430BDY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4430BDY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4430BDY-T1-E3 是一款P沟道增强型MOSFET，属于单MOSFET晶体管，采用小型化封装（如PowerPAK SO-8），适用于空间受限的高效率应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热性能，广泛用于便携式电子设备和电源管理电路中。 典型应用场景包括： 1. 电源开关：常用于电池供电设备中的负载开关或电源路径控制，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑，实现对不同模块的上电/断电管理，降低待机功耗。 2. DC-DC转换器：在同步整流降压或升压电路中作为高端或低端开关使用，提高电源转换效率。 3. 电机驱动与电源保护：适用于小功率电机控制及过流保护电路，提供快速响应和可靠控制。 4. 热插拔与反向极性保护：利用其P沟道特性，构建防反接电路，防止电池或电源反接损坏后级电路。 5. 工业与消费类电子产品：如USB电源管理、LED驱动、传感器模块供电控制等。 SI4430BDY-T1-E3 因其高集成度、低功耗特性和小尺寸封装，特别适合对能效和空间要求严格的现代电子设备，是电源管理设计中的常用元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOICMOSFET 30V 20A 0.0045Ohm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 14 A |
| Id-连续漏极电流 | 14 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4430BDY-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4430BDY-T1-E3SI4430BDY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.6 W |
| Pd-功率耗散 | 1.6 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4430BDY-T1-E3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4430BDY-E3 |
.jpg)
