Datasheet下载- 型号： IRFH5302TR2PBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH5302TR2PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH5302TR2PBF价格参考。International RectifierIRFH5302TR2PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFH5302TR2PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH5302TR2PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的IRFH5302TR2PBF是一款N沟道增强型功率MOSFET，常用于需要高效能、高可靠性的电源管理和功率转换应用中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路，广泛用于计算机主板、电源供应器（PSU）和电池管理系统中。 2. 电机控制：用于电机驱动电路中，如无刷直流电机（BLDC）控制、电动车或工业自动化中的电机控制模块。 3. 汽车电子：由于其高可靠性和良好的热稳定性，IRFH5302TR2PBF可用于汽车中的功率控制模块，如车身控制模块（BCM）、车载充电器、电动助力转向系统等。 4. 工业自动化：在工业控制设备中，该MOSFET可用于继电器替代、PLC输出开关和传感器供电控制等场景。 5. 消费类电子产品：如智能家电、LED照明驱动、便携式设备的电源管理模块等。 该器件采用Trench沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流能力和优良的开关性能，适合高频开关应用。封装形式为TSOP，适用于表面贴装，便于自动化生产。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFNMOSFET MOSFT 30V 100A 2.1mOhm mx 29nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 32 A |
| Id-连续漏极电流 | 32 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH5302TR2PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFH5302TR2PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.6 W |
| Pd-功率耗散 | 3.6 W |
| Qg-GateCharge | 29 nC |
| Qg-栅极电荷 | 29 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.1 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 51 ns |
| 下降时间 | 18 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4400pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 76nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.1 毫欧 @ 50A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PQFN（5x6）单芯片焊盘 |
| 其它名称 | IRFH5302TR2PBFTR |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | PQFN-8 5x6 |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 400 |
| 正向跨导-最小值 | 180 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 32A （Ta）， 100A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfh5302.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfh5302.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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