Datasheet下载- 型号： IPB049NE7N3GATMA1
- 制造商： Infineon
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB049NE7N3GATMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB049NE7N3GATMA1价格参考。InfineonIPB049NE7N3GATMA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB049NE7N3GATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB049NE7N3GATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的IPB049NE7N3GATMA1是一款功率MOSFET器件，属于氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）类别。该器件主要面向高效率、高频开关应用，适用于对功率密度和能效要求较高的电源系统。 其典型应用场景包括： 1. 服务器电源与通信电源：由于其高效能与小型化特性，适合用于数据中心及通信基础设施中的DC-DC转换器或电源模块，提升能源利用率并减少散热需求。 2. 电动汽车（EV）充电系统：可用于车载充电器（OBC）或快速充电桩中的功率转换部分，支持高电压平台（如400V系统），提高充电效率与系统可靠性。 3. 工业电源与UPS（不间断电源）：在高功率密度电源供应器中作为主开关元件，实现更高的开关频率和更低的导通损耗，从而减小磁性元件体积，提升整体效率。 4. 太阳能逆变器与储能系统：适用于光伏逆变器中的DC-AC转换环节，支持清洁能源系统的高效能量转换。 5. 消费类高端电源设备：例如高性能笔记本适配器、游戏主机电源等，满足高能效标准（如80 PLUS Titanium）的需求。 该器件采用先进的CoolGaN™技术，具备低导通电阻、快速开关速度与优异热性能，非常适合高频、高效率电力电子设计。
产品参数
图文手册
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