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STL6N2VH5产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STL6N2VH5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL6N2VH5价格参考。STMicroelectronicsSTL6N2VH5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 2.4W(Tc) PowerFlat™(2x2)。您可以下载STL6N2VH5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STL6N2VH5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STL6N2VH5是一款N沟道增强型MOSFET,其应用场景广泛,主要适用于低电压、低功耗和高效能需求的电路设计。以下是该型号的主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS): STL6N2VH5具有低导通电阻(Rds(on)),使其非常适合用于开关电源中的功率开关,能够有效降低导通损耗,提高转换效率。 2. 直流电机控制: 该MOSFET可用于驱动小型直流电机,例如在玩具、家用电器或工业自动化设备中,实现电机的启动、停止和速度调节功能。 3. 负载开关: 在便携式电子设备(如智能手机、平板电脑等)中,STL6N2VH5可以用作负载开关,以实现快速开关和低功耗管理。 4. 电池管理系统(BMS): 由于其低电压工作特性和高电流承载能力,这款MOSFET适合用于锂离子电池或其他可充电电池的保护电路中,防止过流、短路或过放电。 5. LED驱动: STL6N2VH5可用于驱动高亮度LED,特别是在背光照明、汽车灯或指示灯应用中,提供高效的电流控制。 6. 信号电平转换: 在需要将低电压信号转换为高电压信号的场景中,该MOSFET可以作为开关元件使用,确保信号完整性。 7. 汽车电子: STL6N2VH5符合车规级要求(AEC-Q101),因此可以在汽车电子系统中使用,例如车身控制模块、电动车窗控制器或雨刷控制系统。 8. 音频放大器: 在一些小型音频设备中,这款MOSFET可用作输出级开关,提供高效的功率传输和低失真性能。 9. 通信设备: 在基站、路由器或其他通信设备中,STL6N2VH5可用于功率管理模块,确保稳定供电并减少热量产生。 总之,STL6N2VH5凭借其出色的电气性能和可靠性,适用于多种消费电子、工业控制和汽车电子领域,尤其在需要高效功率转换和低功耗的应用中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 6A 6PWRFLATMOSFET N-Ch 20 V 0.025 Ohm 6 A STripFET V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL6N2VH5STripFET™ V |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STL6N2VH5 |
| Pd-PowerDissipation | 2.4 W |
| Pd-功率耗散 | 2.4 W |
| Qg-GateCharge | 6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 31 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 31 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.7 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 550pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 30 毫欧 @ 3A,4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerFlat™ (2x2) |
| 其它名称 | 497-13777-2 |
| 功率-最大值 | 2.4W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 商标名 | STripFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | PowerFLAT-6 2x2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | - |
| 系列 | STL6N2VH5 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |