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  • 型号: SI7858ADP-T1-E3
  • 制造商: Vishay
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SI7858ADP-T1-E3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI7858ADP-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7858ADP-T1-E3价格参考¥12.73-¥21.60。VishaySI7858ADP-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 12V 20A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7858ADP-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7858ADP-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI7858ADP-T1-E3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,其主要应用场景包括以下几个方面:

 1. 电源管理
   - DC-DC 转换器:该器件适用于开关模式电源(SMPS)中的 DC-DC 转换器,用于高效地调节电压。其低导通电阻(Rds(on))特性可降低功耗并提高效率。
   - 负载开关:在便携式设备和消费电子产品中,SI7858ADP-T1-E3 可作为负载开关,控制电路的开启与关闭,减少待机功耗。

 2. 电机驱动
   - 小型电机控制:可用于驱动小型直流电机或步进电机,提供高效的电流切换和精确的转速控制。
   - H 桥电路:在 H 桥设计中,该 MOSFET 可用于正向和反向驱动电机,实现方向控制。

 3. 电池管理系统
   - 电池保护:在锂电池或其他可充电电池系统中,用作电池充放电路径的开关,防止过流、短路或过充等问题。
   - 电量监测:通过精确控制电流流动,支持电池电量的实时监测。

 4. 消费电子
   - 音频设备:在音响放大器或耳机放大器中,作为信号放大或功率输出的开关元件。
   - 移动设备:应用于智能手机、平板电脑等便携式设备的电源管理模块,优化能效。

 5. 工业应用
   - 继电器替代:在需要频繁开关的工业控制系统中,MOSFET 可以替代传统机械继电器,提供更快的响应速度和更长的使用寿命。
   - 信号隔离:在工业通信接口中,用于信号的隔离与传输。

 6. 汽车电子
   - 车载电子设备:如车窗升降器、座椅调节器等,使用该 MOSFET 实现高效电流控制。
   - LED 照明:在汽车 LED 灯光系统中,用于亮度调节和电流保护。

 核心优势
- 低导通电阻:有助于降低功耗,提升系统效率。
- 高开关速度:适合高频应用,减少开关损耗。
- 出色的热性能:能够在紧凑设计中保持稳定运行。

总之,SI7858ADP-T1-E3 凭借其高性能和可靠性,广泛应用于各种需要高效功率控制和开关操作的场景中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8MOSFET 12V 29A 0.0026Ohm

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

29 A

Id-连续漏极电流

29 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

http://www.vishay.com/doc?73164

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7858ADP-T1-E3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SI7858ADP-T1-E3SI7858ADP-T1-E3

Pd-PowerDissipation

1.9 W

Pd-功率耗散

1.9 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.6 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

2.6 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

12 V

Vds-漏源极击穿电压

12 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

40 ns

下降时间

70 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5700pF @ 6V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

80nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.6 毫欧 @ 29A,4.5V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

其它名称

SI7858ADP-T1-E3TR
SI7858ADPT1E3

典型关闭延迟时间

140 ns

功率-最大值

1.9W

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

商标名

TrenchFET/PowerPAK

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

封装/箱体

PowerPAK SO-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

130 S

漏源极电压(Vdss)

12V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

20A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SI7858ADP-E3

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