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SI7858ADP-T1-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7858ADP-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7858ADP-T1-E3价格参考¥12.73-¥21.60。VishaySI7858ADP-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 12V 20A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7858ADP-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7858ADP-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7858ADP-T1-E3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,其主要应用场景包括以下几个方面: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:该器件适用于开关模式电源(SMPS)中的 DC-DC 转换器,用于高效地调节电压。其低导通电阻(Rds(on))特性可降低功耗并提高效率。 - 负载开关:在便携式设备和消费电子产品中,SI7858ADP-T1-E3 可作为负载开关,控制电路的开启与关闭,减少待机功耗。 2. 电机驱动 - 小型电机控制:可用于驱动小型直流电机或步进电机,提供高效的电流切换和精确的转速控制。 - H 桥电路:在 H 桥设计中,该 MOSFET 可用于正向和反向驱动电机,实现方向控制。 3. 电池管理系统 - 电池保护:在锂电池或其他可充电电池系统中,用作电池充放电路径的开关,防止过流、短路或过充等问题。 - 电量监测:通过精确控制电流流动,支持电池电量的实时监测。 4. 消费电子 - 音频设备:在音响放大器或耳机放大器中,作为信号放大或功率输出的开关元件。 - 移动设备:应用于智能手机、平板电脑等便携式设备的电源管理模块,优化能效。 5. 工业应用 - 继电器替代:在需要频繁开关的工业控制系统中,MOSFET 可以替代传统机械继电器,提供更快的响应速度和更长的使用寿命。 - 信号隔离:在工业通信接口中,用于信号的隔离与传输。 6. 汽车电子 - 车载电子设备:如车窗升降器、座椅调节器等,使用该 MOSFET 实现高效电流控制。 - LED 照明:在汽车 LED 灯光系统中,用于亮度调节和电流保护。 核心优势 - 低导通电阻:有助于降低功耗,提升系统效率。 - 高开关速度:适合高频应用,减少开关损耗。 - 出色的热性能:能够在紧凑设计中保持稳定运行。 总之,SI7858ADP-T1-E3 凭借其高性能和可靠性,广泛应用于各种需要高效功率控制和开关操作的场景中。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8MOSFET 12V 29A 0.0026Ohm |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 29 A |
Id-连续漏极电流 | 29 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | http://www.vishay.com/doc?73164 |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7858ADP-T1-E3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI7858ADP-T1-E3SI7858ADP-T1-E3 |
Pd-PowerDissipation | 1.9 W |
Pd-功率耗散 | 1.9 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.6 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.6 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 12 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
上升时间 | 40 ns |
下降时间 | 70 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5700pF @ 6V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.6 毫欧 @ 29A,4.5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
其它名称 | SI7858ADP-T1-E3TR |
典型关闭延迟时间 | 140 ns |
功率-最大值 | 1.9W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Vishay / Siliconix |
商标名 | TrenchFET/PowerPAK |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
正向跨导-最小值 | 130 S |
漏源极电压(Vdss) | 12V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SI7858ADP-E3 |