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IRF7807D1TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7807D1TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7807D1TRPBF价格参考。International RectifierIRF7807D1TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 30V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO。您可以下载IRF7807D1TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7807D1TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF7807D1TRPBF 是一款N沟道功率MOSFET,属于高性能、低导通电阻的场效应晶体管,广泛应用于需要高效开关和功率控制的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:常用于同步整流、DC-DC转换器(如降压、升压变换器)中,提升电源效率,适用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块。 2. 负载开关与电源开关:因其低导通电阻(RDS(on))和快速开关特性,适合用作高侧或低侧负载开关,控制电池供电设备的电源通断,如便携式电子产品和移动设备。 3. 电机驱动:在小型直流电机、步进电机驱动电路中作为开关元件,用于电动工具、家用电器和工业控制系统。 4. 热插拔与过流保护电路:可集成于热插拔控制器中,实现对电源路径的软启动和电流限制,防止浪涌电流损坏系统。 5. LED照明驱动:用于LED恒流驱动电路中的开关元件,支持高效调光和节能运行。 IRF7807D1TRPBF 采用TSDS-6(PowerPAK SO-8)封装,具有良好的散热性能和紧凑尺寸,适合空间受限的高密度PCB设计。其高可靠性与符合RoHS标准的特点,也使其广泛应用于消费电子、工业控制和通信基础设施等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOICMOSFET MOSFT w/Schttky 30V 8.3A 25mOhm 14nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 二极管(隔离式) |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 8.3 A |
Id-连续漏极电流 | 8.3 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7807D1TRPBFFETKY™ |
数据手册 | |
产品型号 | IRF7807D1TRPBF |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
Qg-GateCharge | 10.5 nC |
Qg-栅极电荷 | 10.5 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 25 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 25 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 25 毫欧 @ 7A,4.5V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | IRF7807D1PBFTR |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 4,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8.3A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single with Schottky Diode |