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  • 型号: IRF7807D1TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRF7807D1TRPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7807D1TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7807D1TRPBF价格参考。International RectifierIRF7807D1TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 30V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO。您可以下载IRF7807D1TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7807D1TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies 的 IRF7807D1TRPBF 是一款N沟道功率MOSFET,属于高性能、低导通电阻的场效应晶体管,广泛应用于需要高效开关和功率控制的场景。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:常用于同步整流、DC-DC转换器(如降压、升压变换器)中,提升电源效率,适用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块。

2. 负载开关与电源开关:因其低导通电阻(RDS(on))和快速开关特性,适合用作高侧或低侧负载开关,控制电池供电设备的电源通断,如便携式电子产品和移动设备。

3. 电机驱动:在小型直流电机、步进电机驱动电路中作为开关元件,用于电动工具、家用电器和工业控制系统。

4. 热插拔与过流保护电路:可集成于热插拔控制器中,实现对电源路径的软启动和电流限制,防止浪涌电流损坏系统。

5. LED照明驱动:用于LED恒流驱动电路中的开关元件,支持高效调光和节能运行。

IRF7807D1TRPBF 采用TSDS-6(PowerPAK SO-8)封装,具有良好的散热性能和紧凑尺寸,适合空间受限的高密度PCB设计。其高可靠性与符合RoHS标准的特点,也使其广泛应用于消费电子、工业控制和通信基础设施等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOICMOSFET MOSFT w/Schttky 30V 8.3A 25mOhm 14nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

二极管(隔离式)

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

8.3 A

Id-连续漏极电流

8.3 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7807D1TRPBFFETKY™

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产品型号

IRF7807D1TRPBF

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

Qg-GateCharge

10.5 nC

Qg-栅极电荷

10.5 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

25 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

25 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

17nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

25 毫欧 @ 7A,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

IRF7807D1PBFTR
IRF7807D1TRPBF-ND
IRF7807D1TRPBFTR-ND

功率-最大值

2.5W

包装

带卷 (TR)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

4,000

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8.3A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single with Schottky Diode

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