Datasheet下载- 型号： NTD3055-094T4G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD3055-094T4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD3055-094T4G价格参考￥2.89-￥4.06。ON SemiconductorNTD3055-094T4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD3055-094T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD3055-094T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD3055-094T4G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道MOSFET，属于功率MOSFET器件，广泛应用于需要高效开关和功率控制的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC电源模块中，作为主开关或同步整流元件，因其低导通电阻（RDS(on)）可减少能量损耗，提高转换效率。 2. 电机驱动：适用于直流电机、步进电机等驱动电路，尤其在工业控制、电动工具和家用电器中，能够承受较高的脉冲电流并实现快速开关。 3. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等设备中，用于功率转换级，支持高频率工作，有助于减小系统体积并提升能效。 4. 照明控制：可用于LED驱动电源和电子镇流器中，实现稳定高效的恒流输出。 5. 汽车电子：该器件符合AEC-Q101车规标准（后缀“G”表示符合RoHS且为汽车级），因此也适用于车载电源系统、车身控制模块（如灯光控制、风扇驱动）等环境较严苛的应用。 NTD3055-094T4G具有高耐压（VDS=55V）、大电流承载能力（ID高达70A）、低栅极电荷和优良的热稳定性，适合高密度、高效率的功率设计需求。其TO-252（D-Pak）封装便于散热和PCB安装，适用于中等功率级别的各类电子设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 12A DPAKMOSFET 60V 12A N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD3055-094T4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTD3055-094T4G |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 48 W |
| Pd-功率耗散 | 48 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 94 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 94 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 32.3 ns |
| 下降时间 | 23.9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 450pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 94 毫欧 @ 6A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | NTD3055-094T4GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 25.2 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 功率耗散 | 48 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 94 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 6.7 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 12 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta） |
| 系列 | NTD3055-094 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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