ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDN337N
Datasheet下载- 型号： FDN337N
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDN337N由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDN337N价格参考。Fairchild SemiconductorFDN337N封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 2.2A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3。您可以下载FDN337N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDN337N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDN337N是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，属于小信号MOSFET，广泛应用于低电压、低功率场景。其主要特点包括低导通电阻、快速开关响应和SOT-23小型封装，适合空间受限的便携式设备。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于电池供电设备中的负载开关或电源通断控制，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，实现高效节能。 2. 信号切换：在模拟或数字电路中作为电子开关，控制信号通路，适用于传感器模块、音频切换电路等。 3. 驱动电路：用于驱动LED、继电器或小型电机，尤其适合低压逻辑控制（如3.3V或5V MCU输出）直接驱动负载。 4. DC-DC转换：在同步整流或Buck/Boost拓扑中作为低边开关，提升转换效率。 5. 消费类电子产品：广泛用于家电控制板、USB电源开关、充电器保护电路等。 由于其低阈值电压和良好热稳定性，FDN337N在高密度PCB设计中表现出色，特别适合对尺寸和功耗敏感的应用。同时，该器件符合RoHS环保标准，适用于工业、消费及便携式医疗设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3MOSFET SSOT-3 N-CH 30V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.2 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDN337N- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDN337N |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.5 W |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 65 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 65 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 300pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 65 毫欧 @ 2.2A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=6736 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-SSOT |
| 其它名称 | FDN337NTR |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns |
| 功率-最大值 | 460mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 30 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SSOT-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 13 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.2A （Ta） |
| 系列 | FDN337N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FDN337N_NL |
![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_photos/FP-301 2" BU 100'.jpg)
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