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Datasheet下载- 型号： FDS3572
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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FDS3572产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS3572由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS3572价格参考。Fairchild SemiconductorFDS3572封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 80V 8.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC。您可以下载FDS3572参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS3572 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS3572 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其主要应用场景包括： 1. 电源管理： FDS3572 适用于各种 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、负载开关和电压调节模块（VRM）。由于其低导通电阻（Rds(on)），能够有效减少功率损耗，提高效率，特别适合需要高效能的便携式设备。 2. 电机驱动： 在小型电机控制中，如风扇、泵或伺服电机，FDS3572 可作为驱动开关使用。它支持快速开关操作，并且能够承受一定的电流和电压波动，确保电机运行稳定。 3. 电池保护与管理： 该 MOSFET 常用于锂离子电池组的充放电保护电路中，通过精确控制电流路径来防止过充、过放或短路现象发生，从而延长电池寿命并提升安全性。 4. 消费电子设备： 包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等在内的多种消费电子产品中，FDS3572 可以用作负载开关或者背光驱动的一部分，帮助实现更高效的电力分配及屏幕亮度调节功能。 5. 通信设备： 在基站、路由器以及其他通讯设施内，此型号可用于信号处理单元中的电源轨切换以及数据传输线路保护等方面，保证系统正常运转同时降低能耗。 6. 工业自动化： 在工业领域，例如可编程逻辑控制器(PLC)、传感器接口或继电器替代方案里，FDS3572 提供了可靠的电气隔离与开关性能，满足严苛环境下的应用需求。 总之，凭借其出色的电气特性（如低 Rds(on)、高频率响应能力等），FDS3572 成为了众多低功耗、高性能应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOICMOSFET 80V N-Channel PowerTrench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 8.9 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS3572PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDS3572 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 16 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 16 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1990pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 41nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 毫欧 @ 8.9A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDS3572CT |
| 典型关闭延迟时间 | 31 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.9A （Ta） |
| 系列 | FDS3572 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | FDS3572_NL |
