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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFB170N30P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFB170N30P价格参考。IXYSIXFB170N30P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFB170N30P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFB170N30P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFB170N30P是一款N沟道功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),具有高电流、高电压和低导通电阻的特点。其主要参数包括300V的漏源击穿电压和高达170A的连续漏极电流,适合大功率应用场景。 该型号广泛应用于需要高效能开关和大电流处理能力的电力电子系统中。典型应用场景包括:工业电机驱动器、大功率开关电源(如服务器电源、通信电源)、不间断电源(UPS)和逆变器系统。由于其优异的热稳定性和快速开关特性,也常用于高频DC-DC转换器和电焊机等设备中。 此外,IXFB170N30P在新能源领域也有重要应用,例如太阳能逆变器和电动汽车充电系统,能够有效降低能量损耗,提高系统整体效率。其TO-264封装形式具备良好的散热性能,适用于高温、高负载工作环境。 总之,IXFB170N30P凭借高耐压、大电流和高可靠性,成为工业控制、能源转换和电力管理等领域中关键的功率开关元件。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH TO-264MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 170 A |
Id-连续漏极电流 | 170 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFB170N30PPolar™ HiPerFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXFB170N30P |
Pd-PowerDissipation | 1.25 kW |
Pd-功率耗散 | 1.25 kW |
Qg-GateCharge | 258 nC |
Qg-栅极电荷 | 258 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 18 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 300 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
上升时间 | 29 ns |
下降时间 | 16 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 20000pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 258nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 18 毫欧 @ 85A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PLUS264™ |
典型关闭延迟时间 | 79 ns |
功率-最大值 | 1250W |
包装 | 管件 |
商标 | IXYS |
商标名 | Polar, HiPerFET |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
封装/箱体 | PLUS 264-3 |
工厂包装数量 | 25 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 25 |
正向跨导-最小值 | 57 S |
漏源极电压(Vdss) | 300V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 170A (Tc) |
系列 | IXFB170N30 |
通道模式 | Enhancement |