Datasheet下载- 型号： 3LN01M-TL-H
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3LN01M-TL-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3LN01M-TL-H价格参考。ON Semiconductor3LN01M-TL-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3LN01M-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3LN01M-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3LN01M-TL-H 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款P沟道增强型MOSFET，常用于低电压、低功率的开关应用场景。其主要特点包括低导通电阻、小型封装以及适用于逻辑电平驱动。 该器件典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于便携式设备（如智能手机、平板电脑、电池供电设备）中的电源开关或负载开关，实现高效能与低功耗。 2. 电机控制与继电器驱动：在小型电机或继电器控制电路中作为开关元件，适用于消费类电子产品或工业控制系统。 3. 信号切换：在需要低电压信号控制的场合，如传感器信号切换、音频或数据线路的切换控制。 4. 负载开关或热插拔控制：用于服务器、通信设备中的热插拔电路，控制电源通断，防止电流冲击。 5. LED背光或照明控制：在小型LED驱动电路中作为开关元件，实现亮度调节或通断控制。 由于其采用SOT-23封装，体积小、易于集成，适合空间受限的高密度电路设计。此外，其逻辑电平兼容特性使其可直接由微控制器（MCU）或数字电路驱动，无需额外的驱动电路。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 150MA MCP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | http://www.onsemi.com/PowerSolutions/product.do?id=3LN01M&pdf |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 3LN01M-TL-H |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.58nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.7 欧姆 @ 80mA，4V |
| 供应商器件封装 | 3-MCP |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 150mA （Ta） |
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