Datasheet下载- 型号： SIA437DJ-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIA437DJ-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA437DJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA437DJ-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIA437DJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIA437DJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的SIA437DJ-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各种电子电路中，以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：用于降压、升压或升降压转换器中的开关元件，提供高效的能量转换。 - 负载开关：控制电路中不同负载的开启和关闭，降低功耗并保护电路。 - 电池管理系统（BMS）：在电池充电和放电过程中，用作电流调节和保护开关。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：通过PWM（脉宽调制）信号调节电机速度和方向。 - H桥电路：用于双向电机驱动，实现正转和反转功能。 3. 保护电路 - 过流保护：利用MOSFET的低导通电阻特性，检测异常电流并切断电路。 - 短路保护：快速响应短路情况，避免损坏下游设备。 4. 信号切换 - 模拟信号切换：在多路复用器或信号路由中，用作低噪声、高线性度的开关。 - 数字信号隔离：在高低电压域之间传输信号时，作为隔离开关使用。 5. 消费电子 - 智能手机和平板电脑：用于内部电源管理和音频放大器驱动。 - 笔记本电脑适配器：在电源适配器中用作功率开关或同步整流元件。 6. 工业应用 - 传感器接口：驱动或切换传感器信号，适用于工业自动化领域。 - 照明系统：用于LED驱动电路，控制电流以实现亮度调节和恒流输出。 7. 汽车电子 - 车载电子设备：如信息娱乐系统、导航设备等的电源管理。 - 电动助力转向（EPS）：参与电机控制和信号处理。 特点支持： SIA437DJ-T1-GE3具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和出色的热性能，适合需要高效能和低功耗的应用场合。其小尺寸封装（如TO-252/DPAK）也使其易于集成到紧凑型设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 29.7A SC70-6MOSFET 20V 14.5mOhm@4.5V 16A P-Ch |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 12.6 A |
| Id-连续漏极电流 | - 12.6 A |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIA437DJ-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIA437DJ-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.5 W |
| Pd-功率耗散 | 3.5 W |
| Qg-GateCharge | 60 nC |
| Qg-栅极电荷 | 60 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 14.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.9 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 下降时间 | 37 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2340pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 90nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14.5 毫欧 @ 8A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 单 |
| 其它名称 | SIA437DJ-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| 功率-最大值 | 19W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 50 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 32 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/12-v-20-v-and-30-v-gen-iii-pchannel-mosfets/50387 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 29.7A (Tc) |
| 系列 | SIA4xxDJ |
| 通道模式 | Enhancement |
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