Datasheet下载- 型号： FQB6N25TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB6N25TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB6N25TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB6N25TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB6N25TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB6N25TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB6N25TM 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，主要应用于电源管理和功率开关场合。其典型应用场景包括： 1. 电源转换器：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器，用于高效能电能转换。 2. 电机驱动：在小型电机控制电路中作为开关元件，适用于家电或工业控制设备。 3. 负载开关：用于控制高功率负载的通断，如LED照明、加热元件等。 4. 电池管理系统：在电池充放电保护电路中作为开关器件。 5. 消费类电子产品：如智能手机充电器、笔记本电源管理模块等，因其封装小巧、效率高而适用。 该器件具有低导通电阻、高耐压（250V）及良好热性能，适合中高功率应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 5.5A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB6N25TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1 欧姆 @ 2.75A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.5A （Tc） |
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