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IRLL014PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLL014PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLL014PBF价格参考。VishayIRLL014PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 2.7A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223。您可以下载IRLL014PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLL014PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRLL014PBF是一款N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻和高开关速度的特点,广泛应用于多种电力电子场景。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - IRLL014PBF适用于各种开关电源设计,包括降压、升压和反激式转换器。其低导通电阻(Rds(on))特性可以减少功率损耗,提高效率。 - 常用于笔记本适配器、手机充电器和其他消费电子产品的电源模块。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动中,该MOSFET可用作开关元件,实现高效的速度控制和方向切换。 - 其低导通电阻有助于降低电机运行时的发热问题。 3. 负载开关 - 在便携式设备(如智能手机、平板电脑等)中,IRLL014PBF可用作负载开关,控制电路的通断,以减少待机功耗。 - 它的低导通电阻确保了较低的电压降,从而提高系统效率。 4. 电池管理 - 用于锂电池保护电路中,作为充放电路径的开关,防止过流、短路或过度放电。 - 其低导通电阻特性减少了电池电流通过时的功率损失。 5. LED驱动 - 在大功率LED照明应用中,IRLL014PBF可作为PWM调光开关或恒流源的一部分,提供高效的亮度调节功能。 - 适用于汽车前照灯、信号灯以及工业照明领域。 6. 音频放大器 - 在D类音频放大器中,该MOSFET可以用作输出级开关,提供快速的开关速度和低失真性能。 - 适合于便携式音响设备或汽车音响系统。 7. 逆变器与太阳能微逆变器 - 在小型逆变器或太阳能微逆变器中,IRLL014PBF可用于高频开关操作,将直流电转换为交流电。 - 其高效率和可靠性满足绿色能源应用的需求。 总结 IRLL014PBF凭借其出色的电气特性和稳定性,非常适合需要高效功率转换和低损耗的应用场景。无论是消费电子产品、工业设备还是汽车电子,它都能提供可靠的性能支持。
参数 | 数值 |
ChannelMode | Enhancement |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.7 A |
Id-连续漏极电流 | 2.7 A |
品牌 | Vishay / Siliconix |
产品目录 | 半导体 |
描述 | MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | http://www.vishay.com/doc?91319 |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRLL014PBF |
产品型号 | IRLL014PBF |
Pd-PowerDissipation | 2 W |
Pd-功率耗散 | 2 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 10 V |
上升时间 | 110 ns |
下降时间 | 26 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 400pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.4nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 200 毫欧 @ 1.6A,5V |
产品种类 | Single-Gate MOSFET Transistors |
供应商器件封装 | SOT-223 |
典型关闭延迟时间 | 17 ns |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223-3 |
工厂包装数量 | 80 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 40 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.7A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Drain |