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  • 型号: IRLL014PBF
  • 制造商: Vishay
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IRLL014PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLL014PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLL014PBF价格参考。VishayIRLL014PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 2.7A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223。您可以下载IRLL014PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLL014PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix品牌的IRLL014PBF是一款N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻和高开关速度的特点,广泛应用于多种电力电子场景。以下是其主要应用场景:

 1. 开关电源(SMPS)
   - IRLL014PBF适用于各种开关电源设计,包括降压、升压和反激式转换器。其低导通电阻(Rds(on))特性可以减少功率损耗,提高效率。
   - 常用于笔记本适配器、手机充电器和其他消费电子产品的电源模块。

 2. 电机驱动
   - 在小型直流电机或步进电机驱动中,该MOSFET可用作开关元件,实现高效的速度控制和方向切换。
   - 其低导通电阻有助于降低电机运行时的发热问题。

 3. 负载开关
   - 在便携式设备(如智能手机、平板电脑等)中,IRLL014PBF可用作负载开关,控制电路的通断,以减少待机功耗。
   - 它的低导通电阻确保了较低的电压降,从而提高系统效率。

 4. 电池管理
   - 用于锂电池保护电路中,作为充放电路径的开关,防止过流、短路或过度放电。
   - 其低导通电阻特性减少了电池电流通过时的功率损失。

 5. LED驱动
   - 在大功率LED照明应用中,IRLL014PBF可作为PWM调光开关或恒流源的一部分,提供高效的亮度调节功能。
   - 适用于汽车前照灯、信号灯以及工业照明领域。

 6. 音频放大器
   - 在D类音频放大器中,该MOSFET可以用作输出级开关,提供快速的开关速度和低失真性能。
   - 适合于便携式音响设备或汽车音响系统。

 7. 逆变器与太阳能微逆变器
   - 在小型逆变器或太阳能微逆变器中,IRLL014PBF可用于高频开关操作,将直流电转换为交流电。
   - 其高效率和可靠性满足绿色能源应用的需求。

 总结
IRLL014PBF凭借其出色的电气特性和稳定性,非常适合需要高效功率转换和低损耗的应用场景。无论是消费电子产品、工业设备还是汽车电子,它都能提供可靠的性能支持。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
ChannelMode

Enhancement

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2.7 A

Id-连续漏极电流

2.7 A

品牌

Vishay / Siliconix

产品目录

半导体

描述

MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp

产品分类

分离式半导体

产品手册

http://www.vishay.com/doc?91319

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRLL014PBF

产品型号

IRLL014PBF

Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

200 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

200 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 10 V

Vgs-栅源极击穿电压

+/- 10 V

上升时间

110 ns

下降时间

26 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

400pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8.4nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

200 毫欧 @ 1.6A,5V

产品种类

Single-Gate MOSFET Transistors

供应商器件封装

SOT-223

典型关闭延迟时间

17 ns

功率-最大值

2W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Tube

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223-3

工厂包装数量

80

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

40

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.7A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single Dual Drain

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