Datasheet下载- 型号： FQB17P06TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB17P06TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB17P06TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB17P06TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB17P06TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB17P06TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB17P06TM 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款P沟道MOSFET，主要应用于需要高效功率控制的场景。其典型应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中的电源开关，具备低导通电阻（Rds(on)），有助于降低损耗，提高能效。 2. 电机控制：用于小型电机或继电器的驱动控制，适合在工业自动化、家电及电动工具中作为开关元件使用。 3. 负载开关与热插拔电路：由于其良好的导通特性和封装散热性能，可作为高侧或低侧开关用于服务器、通信设备中的热插拔保护。 4. 汽车电子：符合AEC-Q101标准，适用于车载系统如车窗控制、灯光调节、辅助电机等低压功率控制应用。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板、充电器等便携设备中用于电源路径管理或负载切换。 该器件采用TDFN封装，体积小、便于PCB布局，适合高密度设计。总体而言，FQB17P06TM是一款适用于中低功率、对效率和空间有要求的应用场合的通用型P沟道MOSFET。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 17A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB17P06TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 120 毫欧 @ 8.5A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 17A （Tc） |
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