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Datasheet下载- 型号： FQD10N20LTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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FQD10N20LTM产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD10N20LTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD10N20LTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD10N20LTM封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 200V 7.6A（Tc） 2.5W（Ta），51W（Tc） TO-252，（D-Pak）。您可以下载FQD10N20LTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD10N20LTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD10N20LTM 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC和DC-DC转换器，用于高效能、高频的电力转换。 2. 电机控制：在电动工具、风扇及小型电机驱动电路中作为功率开关使用。 3. 负载开关：用于电源管理系统中控制电池供电设备的通断，如笔记本电脑、平板和智能家电。 4. 逆变器与变频器：适用于小型逆变器系统，实现直流电到交流电的转换。 5. LED照明驱动：在高亮度LED驱动电路中作为调光或开关元件。 6. 汽车电子：支持车载充电系统、车身控制模块等应用。 该器件具备低导通电阻、高耐压（200V）、10A连续漏极电流能力，适合中高功率应用，同时采用节能封装，有助于提高效率并减少散热需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAKMOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.6 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD10N20LTMQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQD10N20LTM |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 290 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 290 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 150 ns |
| 下降时间 | 95 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 830pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 360 毫欧 @ 3.8A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FQD10N20LTMCT |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 9.6 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.6A （Tc） |
| 系列 | FQD10N20 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
