Datasheet下载- 型号： STB11NM60N-1
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB11NM60N-1由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB11NM60N-1价格参考。STMicroelectronicsSTB11NM60N-1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STB11NM60N-1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB11NM60N-1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STB11NM60N-1是一款N沟道MOSFET晶体管，其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：该MOSFET适合用于高效能开关电源中，作为主开关或同步整流器。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高整体效率。 2. 电机驱动：可用于直流无刷电机（BLDC）或步进电机的驱动电路中，作为功率级开关元件。其耐压能力（600V）使其能够适应较高电压的应用场景。 3. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的电力转换设备中，STB11NM60N-1可以用作功率开关，实现直流到交流的转换。 4. 负载切换：在需要频繁开启和关闭高电流负载的场合，如汽车电子系统中的负载切换，这款MOSFET可以提供可靠的性能。 5. 电池管理：适用于电池保护和管理系统，用于控制充电和放电路径，确保电池安全运行并延长寿命。 6. 工业自动化：在工业控制领域，例如可编程逻辑控制器（PLC）或固态继电器中，该器件可用于信号放大和功率控制。 7. 消费电子产品：如家用电器、电动工具等需要高效功率管理的设备中，此MOSFET可以实现节能和稳定的工作状态。 总之，STB11NM60N-1凭借其高击穿电压、低导通电阻以及良好的热稳定性，在多种需要高效功率转换和控制的应用中表现出色。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STB11NM60N-1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 850pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 450 毫欧 @ 5A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 90W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
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