Datasheet下载- 型号： STP24N60DM2
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP24N60DM2由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP24N60DM2价格参考。STMicroelectronicsSTP24N60DM2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STP24N60DM2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP24N60DM2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP24N60DM2 是由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 开关电源 (SMPS)： STP24N60DM2 具有 600V 的高耐压能力以及低导通电阻（Rds(on)），非常适合用于开关电源中的高频开关应用。其快速开关特性和低损耗性能有助于提高效率，适用于 AC-DC 或 DC-DC 转换器。 2. 电机驱动： 该器件可以用于驱动中小功率的电机，例如家用电器、工业设备或电动工具中的直流无刷电机（BLDC）。其高电压和大电流承载能力能够满足电机启动和运行时的需求。 3. 逆变器： 在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，STP24N60DM2 可作为主功率级开关元件。它支持高压输入并能有效降低传导损耗，从而提升整体转换效率。 4. 负载切换与保护电路： 由于其出色的耐用性和可靠性，这款 MOSFET 常被用作负载切换开关，在汽车电子系统、电池管理系统 (BMS) 或其他需要精确控制电流流动的场合中提供过流保护功能。 5. 脉宽调制 (PWM) 控制： 在 LED 照明、音频放大器等 PWM 控制应用中，STP24N60DM2 的快速响应速度和低功耗特性使其成为理想选择，能够实现高效且稳定的输出调节。 6. 不间断电源 (UPS)： 此类功率 MOSFET 还广泛应用于 UPS 设备中，用于管理备用电源切换过程中的能量传递，确保关键负载在主电源中断时持续供电。 总结来说，STP24N60DM2 凭借其高电压等级、低导通电阻及优异的热稳定性，特别适合于需要高性能功率管理的各种工业、消费类及汽车电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 18A TO-220MOSFET N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A FDmesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP24N60DM2FDmesh™ II Plus |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP24N60DM2 |
| Pd-PowerDissipation | 150 W |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| Qg-GateCharge | 29 nC |
| Qg-栅极电荷 | 29 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 8.7 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1055pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 200 毫欧 @ 9A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-14571-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
| 系列 | STP24N60DM2 |
| 配置 | Single |
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