Datasheet下载- 型号： DMN3200U-7
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN3200U-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN3200U-7价格参考。Diodes Inc.DMN3200U-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN3200U-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN3200U-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN3200U-7是一款P沟道增强型MOSFET，常用于电源管理和负载开关等场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式电子设备中的电源切换和电池保护电路。 2. 负载开关：用于控制电源供应，实现对不同电路模块的高效开关管理，降低功耗。 3. DC-DC转换器：在小型电源转换系统中作为高边开关使用，提高系统效率。 4. 电机驱动与继电器驱动：适用于小型电机或继电器的控制，提供快速开关性能。 5. 工业控制系统：如PLC、传感器模块和小型自动化设备中作为功率开关元件。 该器件采用SOT-223封装，具有低导通电阻、高耐压（-20V）和良好的热稳定性，适合高密度和高效能需求的应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DMN3200U-7 |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 290pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 2.2A，4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 功率-最大值 | 650mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.2A （Ta） |
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