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BC857CWT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BC857CWT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC857CWT1G价格参考¥0.09-¥0.09。ON SemiconductorBC857CWT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 100mA 100MHz 150mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)。您可以下载BC857CWT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC857CWT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的BC857CWT1G是一款P沟道、小信号双极结型晶体管(BJT),属于通用型开关和放大应用器件。其典型应用场景包括便携式电子设备、消费类电子产品及工业控制电路。 该型号常用于低电压、低电流的开关电路中,如LED驱动、电源管理、继电器或负载的通断控制。由于其具备良好的增益特性与快速开关响应,也广泛应用于信号放大电路,例如音频前置放大或传感器信号调理模块。 BC857CWT1G采用SOT-23小型表面贴装封装,适合高密度PCB布局,广泛用于手机、平板电脑、可穿戴设备等空间受限的电子产品中。同时,因其稳定性和可靠性,在汽车电子中的非动力系统(如车内照明控制、传感器接口)也有应用。 此外,该器件符合RoHS环保标准,并具有无铅、绿色环保的特点,适用于对环保要求较高的工业和消费类设计。总体而言,BC857CWT1G是一款高性价比、通用性强的小信号晶体管,适用于各类中低频开关与放大场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PNP 45V 100MA SOT-323两极晶体管 - BJT 100mA 50V PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC857CWT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC857CWT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 650mV @ 5mA,100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 420 @ 2mA,5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-70-3(SOT323) |
| 其它名称 | BC857CWT1G-ND |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 45V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 15nA (ICBO) |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 270 |
| 系列 | BC857CW |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 50 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.65 V |
| 集电极连续电流 | - 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |