Datasheet下载- 型号： PMBT6428,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMBT6428,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBT6428,215价格参考。NXP SemiconductorsPMBT6428,215封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMBT6428,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMBT6428,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMBT6428,215 是 NXP USA Inc. 推出的 NPN 型通用双极结型晶体管（BJT），采用 SOT-23 小型表面贴装封装，具有低饱和电压（VCE(sat) ≈ 0.1 V @ IC=10 mA）、高电流增益（hFE 典型值 200–450）、快速开关特性（ton/toff 纳秒级）及良好热稳定性。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：在微控制器（如 ARM、ESP32）I/O 口驱动 LED、继电器或小功率 MOSFET 栅极时，作为低成本、高可靠性的有源开关； 2. 便携式设备电源管理：用于电池供电设备（如可穿戴设备、IoT 传感器节点）中的 LED 背光控制、蜂鸣器驱动或负载开关电路； 3. 信号调理与简单放大：在低频模拟前端中实现小信号放大（如传感器输出缓冲）、脉冲整形或电平偏移； 4. 消费电子辅助功能电路：如手机/耳机中的按键检测、状态指示灯控制、USB 接口保护电路中的过流检测开关等。 该器件不适用于大功率、高频射频或高压场景（最大 VCEO = 45 V，Ptot = 250 mW），但凭借高性价比、小尺寸和成熟工艺，在中低速、中小电流（IC ≤ 100 mA）的嵌入式系统中被广泛采用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 50V 100MA SOT23两极晶体管 - BJT TRANS SW TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMBT6428,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMBT6428,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 250 @ 100µA， 5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 933813800215 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 700 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 250 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 250 at 0.1 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 250 at 0.1 mA at 5 V, 250 at 1 mA at 5 V, 250 at 10 mA at 5 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 零件号别名 | PMBT6428 T/R |
| 频率-跃迁 | 700MHz |
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