Datasheet下载- 型号： 2N5401G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N5401G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5401G价格参考。ON Semiconductor2N5401G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2N5401G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N5401G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N5401G 是一款由 ON Semiconductor 提供的双极性晶体管（BJT），属于 NPN 类型。它通常用于低功率放大和开关应用中，具有较快的开关速度和良好的增益特性。以下是其主要应用场景： 1. 信号放大：2N5401G 适合用于音频或其他低频信号的放大电路中。例如，在音响设备、麦克风前置放大器或传感器信号放大的场景中，它可以将微弱的输入信号放大到更高的电平以便进一步处理。 2. 开关电路：由于其快速的开关特性和较低的饱和电压，该晶体管常被用作电子开关。典型应用包括继电器驱动、LED 控制以及小型电机控制等场合。在数字逻辑电路中，也可以作为简单的开/关元件来使用。 3. 脉宽调制 (PWM) 控制：在需要通过 PWM 技术调节输出功率的应用中（如 LED 调光或小型直流电机速度控制），2N5401G 可以充当高效的开关器件。 4. 保护电路：在某些保护机制中，比如过流保护或短路检测电路里，此晶体管可以用来实现电流限制功能或者触发报警信号。 5. 射频（RF）应用：虽然不是专门设计为高频用途的晶体管，但在一些较低频率范围内的 RF 应用中（如振荡器、混频器等），2N5401G 仍然能够发挥一定作用。 需要注意的是，选择具体应用时应考虑实际工作条件是否符合该型号的最大额定值（如集电极-发射极电压、集电极电流及功耗等参数）。此外，在设计过程中还需注意散热措施以确保稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS SS PNP 150V 600MA TO-92两极晶体管 - BJT 500mA 160V PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2N5401G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N5401G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 10mA，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它名称 | 2N5401G-ND |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 (TO-226) |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 625 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 5,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 150V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 600mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 50 |
| 系列 | 2N5401 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 150 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 160 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 集电极连续电流 | 0.6 A |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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