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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMH13,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMH13,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMH13,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666。您可以下载PEMH13,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PEMH13,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMH13,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管(BJT)阵列,内置预偏置电阻(含R1/R2),采用SOT-363(SC-70-6)小型封装,含两个独立的NPN通道,具有低饱和压降、高直流电流增益(hFE)、优良的开关特性及温度稳定性。 其典型应用场景包括: 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动:用于微控制器(如ARM、PIC、ESP32)GPIO口扩展,驱动LED、小功率继电器、蜂鸣器或光耦输入端,简化外围偏置电路设计; 2. 电源管理中的负载开关控制:在便携设备(如TWS耳机、可穿戴设备、IoT传感器节点)中作为低功耗使能开关,实现模块级电源启停; 3. 工业与消费类电子中的信号调理与缓冲:用于传感器信号预放大、脉冲整形或总线驱动(如I²C/SPI电平位移辅助),提升抗干扰能力; 4. 汽车电子(AEC-Q101兼容版本适用):在车身控制模块(BCM)中驱动车窗升降、座椅调节等中小功率负载(需选用符合车规的衍生型号); 5. 高密度PCB设计场景:因集成双通道+内置偏置电阻,可节省2–4颗外置电阻及PCB面积,适用于空间受限的紧凑型终端设备。 注意:PEMH13,115为通用级器件,非车规;实际应用中需参考NXP官方数据手册确认VCEO(40 V)、IC(100 mA/通道)、PD(300 mW)等参数裕量,并合理布局散热与EMC防护。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT666开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PEMH13,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PEMH13,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 100mV @ 250µA, 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-11267-6 |
| 典型电阻器比率 | 0.1 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PEMH13 T/R |
| 频率-跃迁 | - |