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详细数据请看参考数据手册
- 型号： 2SC5706-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC5706-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC5706-TL-E价格参考。ON Semiconductor2SC5706-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SC5706-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SC5706-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SC5706-TL-E是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款NPN型双极结型晶体管（BJT），常用于中功率放大和开关应用。该晶体管具有良好的电流增益和频率响应特性，适用于需要中等功率处理能力的电路设计。 其主要应用场景包括： 1. 音频放大器：用于前置放大或驱动级，提升音频信号强度。 2. 电源管理电路：作为开关元件使用，控制电源通断或调节输出电压。 3. 马达驱动电路：在小型电机控制中用作功率开关，实现启停或调速功能。 4. 数字逻辑电路中的开关应用：利用其快速导通与截止特性进行信号切换。 5. 工业控制设备：如PLC、传感器接口电路中，作为信号放大或驱动元件。 该器件采用SOT-223封装，具备较好的散热性能，适合表面贴装工艺，广泛应用于消费电子、工业控制及通信设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO 5A 50V TP-FA两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SC5706-TL-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SC5706-TL-E |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 240mV @ 100mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 500mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TP-FA |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 400 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | TP-FA-3 |
| 工厂包装数量 | 700 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 15 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 700 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 560 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 系列 | 2SC5706 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 100 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 160 mV |
| 频率-跃迁 | 400MHz |
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