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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT4126LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT4126LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBT4126LT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBT4126LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBT4126LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBT4126LT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 类型。它是一种小型、通用的信号晶体管,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景: 1. 信号放大 - MMBT4126LT1G 常用于音频和射频信号的放大。由于其低噪声特性和良好的增益性能,适合在音频前置放大器或无线通信设备中进行小信号放大。 2. 开关应用 - 作为开关元件,该晶体管可用于控制 LED、继电器或其他低功率负载的通断。例如,在数字电路中用作电平转换或驱动外部设备。 3. 电源管理 - 在一些简单的直流-直流转换电路或稳压电路中,可以利用 MMBT4126LT1G 实现电流调节或电压调整功能。 4. 传感器接口 - 结合传感器使用时,该晶体管能够将微弱的输入信号增强到足以驱动后续处理电路的程度,比如温度传感器、光敏电阻等输出信号的调理。 5. 脉冲宽度调制 (PWM) - 在 PWM 控制电路中,MMBT4126LT1G 能够根据占空比变化快速切换状态,从而调节电机速度或者灯光亮度等。 6. 射频与通信领域 - 因为具备一定的高频特性,这款晶体管也可以应用于低功率射频模块中的振荡器、混频器以及缓冲器设计。 总之,MMBT4126LT1G 凭借其紧凑封装形式(SOT-23)、高性价比及稳定的工作参数,在消费类电子产品、工业自动化设备以及汽车电子系统等领域都有所涉猎。然而需要注意的是,由于其额定功率较低,在选择具体应用场合时必须确保工作条件符合器件规格限制以保证长期可靠性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS GP SS PNP 25V SOT23两极晶体管 - BJT 200mA 25V PNP |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBT4126LT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMBT4126LT1G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 2mA,1V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | MMBT4126LT1GOSDKR |
功率-最大值 | 225mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 4 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 250 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 225 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 25V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 300 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
系列 | MMBT4126LT1 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 25 V |
集电极—基极电压VCBO | - 25 V |
集电极—射极饱和电压 | - 0.4 V |
集电极连续电流 | - 0.2 A |
频率-跃迁 | 250MHz |