Datasheet下载- 型号： 2SA1709S-AN
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SA1709S-AN由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SA1709S-AN价格参考。ON Semiconductor2SA1709S-AN封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SA1709S-AN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SA1709S-AN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SA1709S-AN 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款PNP型双极结型晶体管（BJT），常用于需要高频率和高增益特性的电路中。其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 音频放大电路：该晶体管具有良好的频率响应和高增益特性，适合用于音频前置放大器或功率放大器中，提升信号强度。 2. 射频（RF）放大器：由于其具备较高的工作频率范围，2SA1709S-AN 可用于无线通信设备中的射频信号放大，如无线接收器、发射器等。 3. 开关电路：在需要快速开关响应的电路中，该晶体管可作为开关元件使用，适用于数字电路或脉冲电路中。 4. 电源管理电路：在一些小型电源管理系统中，该晶体管可用于电流调节或电压稳定控制。 5. 工业控制设备：广泛应用于工业自动化设备、传感器信号调理电路及小型电机控制电路中。 该晶体管采用小型封装，适合高密度PCB布局，适用于消费电子、通信设备及工业控制系统等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP BIPO 2A 100V NMP两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 100V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SA1709S-AN- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SA1709S-AN |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 600mV @ 100mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 100mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 3-NMP |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 120 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-71 |
| 封装/箱体 | TO-251 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 3 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 400 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | 2SA1709 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 120 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.22 V |
| 集电极连续电流 | - 2 A |
| 频率-跃迁 | 120MHz |
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