Datasheet下载- 型号： 2SA1162-Y,LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SA1162-Y,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SA1162-Y,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SA1162-Y,LF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SA1162-Y,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SA1162-Y,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage（东芝半导体与存储）生产的2SA1162-Y,LF是一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。该型号的晶体管主要应用于以下场景： 1. 音频放大器 - 2SA1162-Y,LF常用于音频信号的放大，特别是在功率放大器电路中。其高增益和良好的频率特性使其适合处理音频信号，能够提供清晰、稳定的声音输出。 - 应用领域包括家用音响设备、汽车音响系统以及便携式音频设备。 2. 开关电路 - 该晶体管可以用作电子开关，在数字电路或控制电路中实现信号的通断功能。例如，用于继电器驱动、LED驱动或其他负载控制。 - 其低饱和电压和快速响应时间使其在开关应用中表现优异。 3. 电源管理 - 在直流-直流转换器、稳压电源等电源管理电路中，2SA1162-Y,LF可以作为关键元件之一，用于电流调节或电压调整。 - 它还适用于线性稳压器中的调整管角色，确保输出电压的稳定性。 4. 工业控制 - 在工业自动化领域，这款晶体管可用于各种传感器接口、电机驱动和信号调理电路中。它的高可靠性使其能够在严苛环境下工作。 - 例如，用于工厂自动化设备、机器人控制系统或过程控制装置。 5. 通信设备 - 2SA1162-Y,LF可用于射频（RF）和中频（IF）信号的放大与处理，适合通信设备中的前置放大器或驱动级电路。 - 其宽频率范围和低噪声特性为通信系统提供了优质的信号传输能力。 6. 消费电子产品 - 该晶体管广泛应用于各类消费电子产品中，如电视机、收音机、游戏机等。它能够满足这些设备对信号放大和控制的需求。 总结 2SA1162-Y,LF凭借其出色的电气性能和可靠性，适用于多种场景，包括音频放大、开关控制、电源管理、工业控制、通信设备以及消费电子产品。具体应用时需根据电路设计需求选择合适的偏置条件和外围元件，以充分发挥其性能优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI两极晶体管 - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1371632&lineid=50&subfamilyid=1935055&familyid=1912643 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Toshiba 2SA1162-Y,LF- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SA1162 |
| 产品型号 | 2SA1162-Y,LF2SA1162-Y,LF |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 10mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 2mA，6V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | S-Mini |
| 其它名称 | 2SA1162-YLFCT |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Toshiba |
| 增益带宽产品fT | 80 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SC-59-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大直流电集电极电流 | 150 mA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100µA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 400 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 70 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.1 V |
| 频率-跃迁 | 80MHz |
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