ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > FDS6875
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Datasheet下载- 型号： FDS6875
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS6875由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS6875价格参考。Fairchild SemiconductorFDS6875封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 6A 900mW 表面贴装 8-SO。您可以下载FDS6875参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS6875 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS6875是ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款晶体管 - FET，MOSFET - 阵列。它主要应用于需要高效、低功耗和高可靠性的电路设计中。以下是其具体应用场景： 1. 电源管理：FDS6875广泛用于各种电源管理系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高电源转换效率，适用于笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式电子设备。 2. 电机控制：在无刷直流电机（BLDC）和其他类型的电机控制系统中，FDS6875可以作为驱动级的一部分，用于实现精确的电流控制和高效的功率传输。它能够承受较高的电流和电压波动，确保电机运行稳定。 3. 负载开关：该器件常被用作负载开关，以实现对不同负载的快速切换。例如，在USB端口保护电路中，FDS6875可以在检测到过流或短路时迅速切断电源，防止损坏下游设备。 4. 电池管理：在电池管理系统（BMS）中，FDS6875可用于充电和放电路径的控制。它可以有效地限制充电电流，防止过充，并在放电过程中提供必要的保护机制，延长电池寿命。 5. 通信设备：对于基站、路由器等通信设备，FDS6875可用于信号调理和功率放大器的偏置控制。其低噪声和高线性度特性有助于提升信号质量，降低干扰。 6. 工业自动化：在工厂自动化系统中，FDS6875可用于驱动继电器、传感器和执行器等组件。它的耐高温和抗干扰能力强，适合恶劣环境下的长期稳定工作。 总之，FDS6875凭借其出色的电气性能和可靠性，成为众多应用领域的理想选择，特别是在需要高性能功率管理的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOICMOSFET SO-8 DUAL P-CH -20V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS6875PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDS6875 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 24 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 24 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2250pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 30 毫欧 @ 6A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDS6875DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 98 ns |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 22 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A |
| 系列 | FDS6875 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 零件号别名 | FDS6875_NL |
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