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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFX64N60P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFX64N60P价格参考。IXYSIXFX64N60P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFX64N60P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFX64N60P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS公司生产的IXFX64N60P是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单个晶体管类别。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):该MOSFET适用于开关模式电源中的高频开关应用,例如DC-DC转换器、AC-DC适配器和逆变器等。其低导通电阻(Rds(on))特性可以减少功率损耗,提高效率。 2. 电机控制:在电机驱动电路中,IXFX64N60P可以用作开关元件来控制电机的启动、停止和速度调节。它适合于中小型电机的应用,如家用电器、工业设备和电动工具。 3. 负载开关:在需要快速切换负载的电路中,这款MOSFET可以作为高效的负载开关,用于保护电路免受过流或短路的影响。 4. 续流二极管替代:在某些电路设计中,IXFX64N60P可以用作主动开关以替代续流二极管,从而降低功耗并提高系统效率。 5. 电池管理:在电池充电和管理系统中,该MOSFET可用于电池充放电路径的控制,确保安全和高效的电池操作。 6. 太阳能逆变器:在光伏发电系统中,IXFX64N60P可以用作逆变器中的开关元件,将直流电转换为交流电供家庭或电网使用。 7. 汽车电子:该器件也可应用于汽车电子系统中,如车窗升降器、座椅调节器和冷却风扇控制等场合。 IXFX64N60P具有600V的击穿电压和低至0.64Ω的导通电阻,使其成为高压、高效率应用的理想选择。此外,其TO-247封装形式便于散热处理,适合大功率应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247MOSFET MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 64 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFX64N60PPolarHV™ HiPerFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXFX64N60P |
Pd-PowerDissipation | 1040 W |
Pd-功率耗散 | 1040 W |
RdsOn-漏源导通电阻 | 96 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 23 ns |
下降时间 | 24 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 8mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 12000pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 200nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 96 毫欧 @ 500mA,10V |
产品种类 | Power MOSFETs |
供应商器件封装 | PLUS247™-3 |
典型关闭延迟时间 | 79 ns |
功率-最大值 | 1040W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 7.300 g |
商标 | IXYS |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 96 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | PLUS 247 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
正向跨导-最小值 | 63 s |
汲极/源极击穿电压 | 600 V |
漏极连续电流 | 64 A |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 64A (Tc) |
系列 | IXFX64N60 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |