Datasheet下载- 型号： IXTH02N250
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTH02N250由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTH02N250价格参考。IXYSIXTH02N250封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTH02N250参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTH02N250 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTH02N250是一款单通道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于FET晶体管系列。其应用场景主要包括以下几类： 1. 高压开关应用： IXTH02N250具有高达2500V的击穿电压，适用于高压开关场景，例如工业设备中的高压电源转换、电机驱动和电磁阀控制等。 2. 功率转换与逆变器： 该器件适合用于功率转换电路（如DC-DC转换器）和逆变器系统，能够高效地处理高电压和中等电流负载，广泛应用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）和其他电力电子设备。 3. 脉冲宽度调制（PWM）控制器： 在需要精确控制输出功率的应用中，IXTH02N250可以用作PWM控制器中的开关元件，例如LED驱动器、音频放大器以及电动工具的电源管理。 4. 电机驱动与伺服系统： 高压特性使其成为电机驱动的理想选择，尤其是在需要长电缆传输或高电压环境下的无刷直流电机（BLDC）驱动器中。 5. 工业自动化与机器人： 在工业自动化领域，这款MOSFET可用于控制各种执行机构，如气动和液压系统的电磁阀、步进电机以及伺服电机。 6. 医疗设备： 对于需要高可靠性和高稳定性的医疗设备，例如X射线机和超声波设备，IXTH02N250可以提供稳定的高压性能。 7. 铁路与交通运输： 在轨道交通和电动车领域，该器件可应用于牵引逆变器、制动能量回收系统以及车载充电器中。 8. 测试与测量仪器： 由于其出色的耐压能力，IXTH02N250也适用于高精度测试设备中的信号调节和放大电路。 总结来说，IXTH02N250凭借其高电压、低漏电流和高可靠性，非常适合用于高压、大功率及对稳定性要求较高的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 2500V 200MA TO247MOSFET High Voltage Power MOSFET; 2500V, 0.2A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 200 mA |
| Id-连续漏极电流 | 200 mA |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTH02N250- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTH02N250 |
| Pd-PowerDissipation | 83 W |
| Pd-功率耗散 | 83 W |
| Qg-GateCharge | 7.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 7.4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 450 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 450 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 2.5 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 2.5 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| 上升时间 | 19 ns |
| 下降时间 | 33 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 116pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 450 欧姆 @ 50mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 （IXTH） |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 功率-最大值 | 83W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.500 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 88 mS |
| 漏源极电压(Vdss) | 2500V（2.5kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 200mA （Tc） |
| 系列 | IXTH02N250 |
| 通道模式 | Enhancement |
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