Datasheet下载- 型号： BUK662R4-40C,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK662R4-40C,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK662R4-40C,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK662R4-40C,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK662R4-40C,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK662R4-40C,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BUK662R4-40C,118 是一款P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效功率管理的电子设备中。该器件具有低导通电阻、高可靠性和优良的热性能，适用于多种电源管理和负载开关场景。 主要应用场景包括： 1. 电源管理系统：用于DC-DC转换器、稳压器和电池供电设备中的高效能开关元件。 2. 电机控制：在小型电机驱动电路中作为功率开关使用，如电动工具、家用电器等。 3. 照明系统：用于LED驱动电路中，实现高效的电流调节与开关控制。 4. 工业自动化设备：作为负载开关或继电器替代方案，提高系统可靠性并减少功耗。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板电脑和智能家电中的电源管理模块。 该MOSFET采用小型封装，适合对空间有要求的设计，同时具备良好的耐用性和稳定性，适合中低功率应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH D2PACK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK662R4-40C,118 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11334pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 199nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.3 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-6998-2 |
| 功率-最大值 | 263W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tmb） |
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