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详细数据请看参考数据手册
- 型号： FQN1N60CBU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQN1N60CBU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQN1N60CBU价格参考。Fairchild SemiconductorFQN1N60CBU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQN1N60CBU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQN1N60CBU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQN1N60CBU 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，主要应用于电源管理和功率转换领域。其典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC转换器、DC-DC转换器等，用于高效能、高频率的电源设计。 2. 电机控制：用于直流电机、步进电机的驱动电路，实现对电机转速和方向的控制。 3. 照明系统：如LED驱动电源、智能照明控制电路，提供稳定高效的功率输出。 4. 家电控制：常用于洗衣机、空调、微波炉等家电产品中的功率开关模块。 5. 工业自动化：用于工业控制设备中的负载开关、继电器替代方案，提升系统可靠性和效率。 该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（600V）和高电流能力，适合中高功率应用。其封装形式（如TO-252）便于散热和安装，广泛用于需要高效、紧凑设计的电子设备中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQN1N60CBU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 170pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11.5 欧姆 @ 150mA，10V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 300mA （Tc） |
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