【未分类_FQPF5N60C】封装/厂家_FQPF5N60C中文资料_价格

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型号： FQPF5N60C
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF5N60C由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF5N60C价格参考￥2.39-￥2.39。Fairchild SemiconductorFQPF5N60C封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FQPF5N60C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF5N60C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQPF5N60C 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面：

1. 开关电源（SMPS）  
   FQPF5N60C 的高电压耐受能力（600V）使其非常适合用于开关电源电路中的高压开关应用。它能够高效地控制电流的通断，适用于 AC-DC 或 DC-DC 转换器。

2. 电机驱动与控制  
   该型号的 MOSFET 可以用作电机驱动电路中的功率开关，适用于小型直流电机或步进电机的控制。其低导通电阻（Rds(on) 典型值为 0.7Ω @ Vgs=10V）有助于减少功耗和发热。

3. 逆变器电路  
   在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，FQPF5N60C 可作为功率开关元件，实现直流到交流的转换。其高击穿电压和快速开关特性能够满足逆变器的需求。

4. 负载切换与保护  
   该 MOSFET 可用于负载切换电路，例如在汽车电子或工业设备中控制高电压负载的开启与关闭。同时，它也可以用作过流保护或短路保护的开关元件。

5. 脉宽调制（PWM）控制器  
   在 PWM 控制电路中，FQPF5N60C 可以作为功率输出级的开关器件，用于调节输出电压或电流。其快速开关速度和低损耗特性非常适合高频 PWM 应用。

6. 家用电器与工业设备  
   此型号的 MOSFET 广泛应用于各种家用电器（如风扇、水泵等）和工业设备中，用于功率调节和控制。

7. 电池管理系统（BMS）  
   在电池管理系统中，FQPF5N60C 可以用作电池充放电路径的开关，确保电池的安全运行并防止过充或过放。

总结来说，FQPF5N60C 凭借其高电压耐受能力、低导通电阻和快速开关特性，适合用于需要高效功率开关的各种场景，特别是在高压、中小功率的应用中表现出色。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220FMOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	4.5 A
Id-连续漏极电流	4.5 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQPF5N60CQFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FQPF5N60C
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	33 W
Pd-功率耗散	33 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	2.5 Ohms
RdsOn-漏源导通电阻	2.5 Ohms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	600 V
Vds-漏源极击穿电压	600 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
上升时间	42 ns
下降时间	46 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	670pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	19nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	2.5 欧姆 @ 2.25A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220F
其它名称	FQPF5N60C-ND FQPF5N60CFS
典型关闭延迟时间	38 ns
功率-最大值	33W
包装	管件
单位重量	2.270 g
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3 整包
封装/箱体	TO-220FP-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
正向跨导-最小值	4.7 S
漏源极电压(Vdss)	600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	4.5A （Tc）
系列	FQPF5N60C
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	FQPF5N60C_NL